本文標(biāo)題："大多數(shù)硅酸鹽熔體樣品分析圖像顯微鏡"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類: 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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大多數(shù)硅酸鹽熔體樣品分析圖像顯微鏡
對(duì)于自發(fā)成核系統(tǒng)，在結(jié)晶的起始階段必須提供很大的過冷度，結(jié)
晶過程中釋放出來的潛熱也必須由界面處導(dǎo)走，如果這部分熱量不
能全部導(dǎo)走，界面附近的溫度將會(huì)升高，AT減小，從而減小了結(jié)晶
驅(qū)動(dòng)力。一般而言，晶體與玻璃體內(nèi)能差別越大，則在不穩(wěn)定過冷
下，晶化傾向大，在冷卻時(shí)越容易析出晶體。
保護(hù)渣結(jié)晶的動(dòng)力學(xué)條件
保護(hù)渣過冷液體的結(jié)晶過程可分為成核與晶核長大兩個(gè)階段，
成核速度和晶體長大速
速率和過冷度的關(guān)系度都是過冷度和黏度的函數(shù)∞1。溫度較
低時(shí)，晶核形成熱容易導(dǎo)走，因而隨著溫度降低，成核加速；但是
隨著溫度降低，黏度卻隨著迅速增大，在較低溫度下晶核形成減慢
，故在某一溫度下，成核達(dá)到一個(gè)極大值。晶體生長速度與成核速
度有類似的地方。由于晶體生長與晶核形成是兩個(gè)不同的過程，極
大值所在的溫度是不一樣的。對(duì)大多數(shù)硅酸鹽熔
體來講，晶粒形成的最大速度是在較低溫度區(qū)，而晶體生長的最大
速度在較高溫度區(qū)。
成核速度、晶體長大速度穢和熔體過冷度之間的
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